SPB11N60S5ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | SPB11N60S5ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 500µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Grundproduktnummer | SPB11N |
SPB11N60S5ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | SPB11N60S5ATMA1 PDF - EN.pdf |
SPB 10C 10#20 PIN/SKT RECP
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
INFINEON SOT-263
SPB11N60C3 Infineon Technologies
SPB 4C 4#16 PIN/SKT RECP
SPB 10C 10#20 PIN/SKT RECP
SPB 10C 10#20 PIN/SKT RECP
SPB 8C 8#20 PIN/SKT RECP
SPB 8C 8#20 PIN/SKT RECP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SPB11N60S5ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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